波长短，

能量足够，

曝光均匀。

最重要的一点，

就是波长短！

这一点尤为重要，

几乎决定EUV光刻机的水准！

波长越短，可曝光的特征尺寸就越小;

用白话来解释，

波长越短，就表示光刻的刀锋越锋利，能够实现的电路图尺寸也就越小。

可见光，g线:436nm

紫外光(UV)，i线:365nm

深紫外光(DUV),KrF准分子激光:248nm,ArF准分子激光:193nm

极紫外光(EUV)，10~15nm

以上这四种类型，是光刻机光源模块采用的四种光源。

前面三种类型的光源，夏国已经全部掌握。

只有第四种，

极紫外光，难度极高，

目前为止也只有米国掌握。

荷国光刻机巨头，阿斯麦公司，

制造的EUV光刻机，

光源模块也是直接从米国买过来的。

使用极紫外光，光刻5nm芯片自然没有问题，

可是3nm芯片，

甚至2nm芯片，

乃至1nm芯片，

就完全不行。

必须要波长更短的光源才可以实现。

而叶龙抽奖的时候，已经获得这种光源获得方式：

电子束光源技术！

没错！

顾名思义，

这种光源完全是电子束发出的光线。

波长与极紫外光相比，

尺寸小了至少三倍！

波长只有3~5nm，制造1nm芯片电路图都毫无压力。

再说光线能量问题。

能量越大，绘制芯片电路图的时候，曝光时间就越短。

这样的话，

不仅能够提升生产效率，

更为关键的是，

期间出现问题的几率也就越小。

而电子束光源，

说白了就是高速运动的电子束，产生的能量可想而知！

比起极紫外光，

能量至少提高十倍！

最后再说曝光能量均匀分布的问题。

这就和光源平行度有很大的关系了。

极紫外光平行度可以达到90%，

这个数据已经非常恐怖了！

可与电子束光源相比，

双方就完全不是一个等级了。

因为电子束光源平行度能够达到100%，每个电子的运行方向和速度完全一致，

可以说是最完美的平行光。

绘制芯片电路图的时候，光线完全均匀照射，曝光能量自然也是相当均匀的。

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第三更。

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